Bài tập Hóa phân tích - Chương 3

BÀI TẬP CHƯƠNG 3  
Bài 1:  
Một BJT có dòng cực phát lớn gấp 1.01 lần dòng cực thu. Nếu dòng cực thu là 12.12 mA  
thì dòng nền có giá trị là bao nhiêu?  
Bài 2:  
Một BJT có 99.5% hạt dẫn được phun qua miền nền đến cực thu. Nếu dòng rò là 5.0 A  
và dòng cực thu là 22 mA, hãy tính:  
a. Giá trị chính xác của .  
b. Dòng cực phát IE.  
c. Giá trị gần đúng của khi bỏ qua dòng ICBO  
.
Bài 3:  
Cho mạch điện như hình vẽ:  
a. Xác định và vẽ phương trình đường tải tĩnh ngõ ra. Xác định điểm cắt của đường  
tải với trục tọa độ.  
b. Tìm IC khi VCB = 10V.  
c. Tìm VCB khi IC = 1mA  
Bài 4:  
Xác định điểm làm việc tĩnh ở ngõ ra Q của BJT- NPN loại Si được phân cực như hình  
vẽ?  
Bài 5:  
Một BJT loại Ge (VEB =0.3V) được phân cực như hình bên:  
a. Nếu RC = 1K, hãy tính giá trị của RE để VBC bằng 0.  
b. Nếu RE = 1.5K, hãy tính giá trị của RC để VBC bằng 0.  
+24V  
Bài 6:  
Trong mạch hình bên, hãy xác định:  
a. VCE khi IC = 1.5 mA.  
b. IC khi VCE = 12 V.  
c. VCE khi IC = 0  
220K  
4.7K  
Bài 7:  
Xác định cách mắc (CE, CC hay CB) cho các mạch sau:  
R1  
1K  
+12V  
100K  
a)  
16V  
-16V  
R2  
b)  
-12V  
+24V  
RX  
1M  
2.2K  
RY  
9V  
24V  
d)  
c)  
vout  
vin  
e)  
f)  
g)  
Bài 8:  
Tìm điểm phân cực tĩnh ở ngõ vào và ngõ ra cho BJT loại Si ở hình bên.  
Giả sử = 80.  
+6V  
IB  
220K
  
IE  
680
  
IE  
1K  
Bài 9:  
Tìm điểm phân cực tĩnh ở ngõ ra cho BJT loại Si ở hình bên.  
Giả sử = 100.  
IB  
100K  
-12V  
Bài 10:  
Tìm điểm làm việc tĩnh ở ngõ ra cho BJT loại Si như hình vẽ.  
Bài 11:  
Hãy thiết kế mạch phân cực cho BJT NPN loại Si với cấu hình CB. Với điểm phân cực  
Q(IE=1.5mA; VCB = 7.5V). Các nguồn cung cấp lần lượt là Vcc= 15V và VEE= 5V. Sử  
dụng các điện trở chuẩn với sai số 5% và vẽ sơ đồ mạch thiết kế. Tính lại giới hạn cho  
điểm phân cực của mạch với các giá trị điện trở đã chọn.  
RE  
5V  
RC  
15V  
Bài 12:  
Hãy thiết kế mạch phân cực cho BJT NPN loại Si với cấu hình CC. Với = 100, nguồn  
cung cấp là Vcc=30V. Điểm phân cực Q(IE=10mA; VCE = 12V). Sử dụng các điện trở  
chuẩn với sai số 5% và vẽ sơ đồ mạch thiết kế. Tính lại điểm phân cực thực của mạch  
với các giá trị điện trở đã chọn.  
VCC  
RB  
RE  
Bài 13:  
Trong mạch hình bên,sử dụng BJT loại Si. Hãy xác định giá trị của RB để BJT dẫn ở  
trạng thái bảo hòa, giả sử rằng =100 và VCE sat = 0.3V  
+9V  
RB  
2.2K  
Bài 14:  
Cho mạch như hình bên:  
Ngõ vào có giá trị thay đổi giữa 0 và 10V, BJT loại Si có là 120, chứng minh rằng  
mạch hoạt động như một inverter.  
+10V  
2.2 K  
245.52 K  
Vin  
Vout  
Bài 15:  
Một mạch BJT inverter được thiết kế sử dụng BJT loại Si có thay đổi từ 60 đến 120.  
Nếu RB có giá trị là 100Kthì RC phải là bao nhiêu? Giả sử VCC = VHI = 4.5V  
+4.5V  
RC  
100 K  
Vin  
Vout  
doc 6 trang Thùy Anh 20220 Free
Bạn đang xem tài liệu "Bài tập Hóa phân tích - Chương 3", để tải tài liệu gốc về máy hãy click vào nút Download ở trên

File đính kèm:

  • docbai_tap_hoa_phan_tich_chuong_3.doc